the_viper
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genau das habe ich erwartet, und nicht eine einfach hingeschmissene aussage. ich lasse mich gerne vom gegenteil überzeugen, wenn es belege gibt.
zum thema: ich habe mich selber noch schlau gemacht,und studien gelesen, das nicht der memory effekt an sich, der bei NiCd älterer bauart und ersten NiMH beschrieben wird, sondern die überladung mit schuld sind am kapazitätsschwund im akku bereich. es hängt mit der molekülgröße zusammen, die einen einfluss auf die zellenspannung hat und bei überladung zu supermolekülbildung führt; die meisten geräte erkennen aber das entladeende über die spannung, obwohl der akku mit niedrigerer spannung noch energie abgeben könnte.
einen memory effekt aufgrund von kristallisation so wie früher beschrieben gibt es bei modernen zellen nicht mehr, wohl aber bei billigzellen, die noch nach alter technologie gebaut werden.
sehr wohl präsent ist aber der spannungsminderungsefffekt, der bei überladung durch molekülwachstum entsteht, aber reversibel ist. verhindern kann man ihn durch vermeiden der überladung, z.b. mit dem delta peak laderverfahren. die empfehlung, die zellen zu formieren, also die ersten 2-3 mal mit normalladestrom (1/10 der kapazität) scheint aber bestehen zu bleiben, in der richtung halten entwickler noch fest.
das ist im großen und ganzen das was ich herausgefunden habe, u.a. durch meine kontakte bei siemens, wo ich eine weile im DECT bereich gearbeitet habe. daher auch mein danke an multitaster69 für deine hartnäckigkeit, das thema interessiert mich und ich hake da weiter nach.
nichtsdestotrotz finde ich das man behauptungen auch untermauern sollte sonst kommen reaktionen wie meine und die von the ubm zustande.
zum thema: ich habe mich selber noch schlau gemacht,und studien gelesen, das nicht der memory effekt an sich, der bei NiCd älterer bauart und ersten NiMH beschrieben wird, sondern die überladung mit schuld sind am kapazitätsschwund im akku bereich. es hängt mit der molekülgröße zusammen, die einen einfluss auf die zellenspannung hat und bei überladung zu supermolekülbildung führt; die meisten geräte erkennen aber das entladeende über die spannung, obwohl der akku mit niedrigerer spannung noch energie abgeben könnte.
einen memory effekt aufgrund von kristallisation so wie früher beschrieben gibt es bei modernen zellen nicht mehr, wohl aber bei billigzellen, die noch nach alter technologie gebaut werden.
sehr wohl präsent ist aber der spannungsminderungsefffekt, der bei überladung durch molekülwachstum entsteht, aber reversibel ist. verhindern kann man ihn durch vermeiden der überladung, z.b. mit dem delta peak laderverfahren. die empfehlung, die zellen zu formieren, also die ersten 2-3 mal mit normalladestrom (1/10 der kapazität) scheint aber bestehen zu bleiben, in der richtung halten entwickler noch fest.
das ist im großen und ganzen das was ich herausgefunden habe, u.a. durch meine kontakte bei siemens, wo ich eine weile im DECT bereich gearbeitet habe. daher auch mein danke an multitaster69 für deine hartnäckigkeit, das thema interessiert mich und ich hake da weiter nach.
nichtsdestotrotz finde ich das man behauptungen auch untermauern sollte sonst kommen reaktionen wie meine und die von the ubm zustande.
